根据突触后膜去极化或超极化，分为兴奋性和抑制型突触后电位。

（1）兴奋性突触后电位（EPSP）局部去极化

前膜释放的是兴奋性递质，与突触后膜对应受体结合，递质门控通道（化学门控通道）开放，使后膜对Na 和K 的通透性最大，Na 内流大于K 外流，发生净内向电流，使突触后膜发生局部去极化，产生兴奋性突触后电位（EPSP），

EPSP大，可使突触后神经元兴奋，

（2）抑制性突触后电位（IPSP）局部超级化

前膜释放的是抑制性递质，与突触后膜对应受体结合，使后膜上的递质（配体）门控Cl-通道开放，对Cl-的通透性最大，引起外向电流，Cl-内流，使突触后膜发生超极化，产生抑制性突触后电位（IPSP），IPSP使突触后神经元抑制。

另外IPSP形成还与K 通道开放或Na ，Ca2 通道关闭有关。

突触传递类似神经肌肉接头处的信息传递，是一种“电化学电”的过程；是突触前膜释放兴奋性或抑制性递质引起突触后膜产生兴奋性突触后电位（EPSP）或抑制性突触后电位（IPSP）的过程。

1.EPSP是突触前膜释放兴奋性递质，作用突触后膜上的受体，引起细胞膜对Na 、K 等离子的通透性增加（主要是Na ），导致Na 内流，出现局部去极化电位。

2.IPSP是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl-通透性增加，Cl-内流产生局部超极化电位。

特点：（1）突触前膜释放递质是Ca2 内流引发的；（2）递质是以囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的；（3）EPSP和IPSP都是局部电位，而不是动作电位；（4）EPSP和IPSP都是突触后膜离子通透性变化所致，与突触前膜无关。