1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）
2．工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3．说出制作N-well的工艺流程。
4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。
来源：SOHU
Copyright ©2010-2025 生活日记网 用日志记录点滴生活！ 范文频道。 网站地图 手机版
用日记记录生活中的点点滴滴，等老了我们一起来把它回味......写日记
网站备案/许可证号：鲁ICP备17000595号-40